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2024-11
onsemi安森美FGH40T65UQDF-F155芯片FS4TIGBT TO247 40A 650V的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH40T65UQDF-F155芯片：技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其FGH40T65UQDF-F155芯片是一款高性能的FS4TIGBT TO247 40A 650V芯片，广泛应用于各种电子设备中。 技术特点： 首先，FGH40T65UQDF-F155芯片采用了先进的半导体技术，具有高耐压、大电流和高频率响应等特点。它能够在高温、高湿度等恶劣环境下稳定工作，具有出色的可靠性和稳定性。此外，该芯片还具有低功耗、低噪声等优点，能够提高电子
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2024-11
onsemi安森美NGTB25N120FL2WAG芯片IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB25N120FL2WAG芯片IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4技术与应用介绍 onsemi安森美公司以其卓越的IGBT技术而闻名，其NGTB25N120FL2WAG芯片是业界领先的低功耗、高效率的驱动方案。这款芯片特别针对大功率应用，如电机驱动、电源转换和工业控制等领域，提供了高效、可靠和节能的解决方案。 NGTB25N120FL2WAG芯片采用了独特的Field Stop技术，这是一种创新的散热设计，能够在高温环境下保持稳定的性能。此外
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2024-11
onsemi安森美NGTB40N120L3WG芯片IGBT 1200V 160A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB40N120L3WG芯片IGBT 1200V 160A TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美公司推出的NGTB40N120L3WG芯片IGBT是一种高性能的绝缘栅双极晶体管，适用于各种高压、大电流应用场景。该芯片具有1200V的耐压和160A的电流规格，适用于各种电机控制、电源转换和逆变器等应用。 IGBT是一种复合型功率半导体器件，具有开关速度快、损耗小、耐压高等优点，因此在电力电子领域得到了广泛应用。NGTB40N120L3WG芯片的TO247封装
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2024-11
onsemi安森美FGA20S125P-SN00336芯片IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA20S125P-SN00336芯片IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其FGA20S125P-SN00336芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具有1250V和20A的规格，适用于各种高电压、大电流的电子应用场合。该芯片采用TO-3PN封装，具有体积小、散热快、耐压高、电流大、开关速度快等优点，因此在工业控制、电源转换、电机驱动、变频器等应用领域具有广泛的应用前景。 技
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2024-11
onsemi安森美FGD3325G2-F085芯片IGBT 300V DPAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGD3325G2-F085芯片IGBT 300V DPAK技术与应用介绍 onsemi安森美FGD3325G2-F085芯片IGBT 300V DPAK是一种高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），广泛应用于各种电子设备中，如电源转换器、电机驱动器、逆变器等。 FGD3325G2-F085芯片IGBT 300V DPAK采用了先进的半导体技术，具有高输入阻抗、低导通压降和快速开关特性。这使得它在各种应用中具有出色的效率、可靠性以及较低的能耗。 在电源转换器中，FGD33
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2024-11
onsemi安森美NGTB75N60SWG芯片IGBT 75A 600V TO-247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB75N60SWG芯片IGBT 75A 600V TO-247的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其推出的NGTB75N60SWG芯片IGBT 75A 600V TO-247在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用了先进的工艺技术，具有高效、可靠、节能等特点，是工业自动化、电力转换设备、新能源汽车等领域不可或缺的关键器件。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、功耗低、耐压高等优点。NGTB75N
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2024-11
onsemi安森美NGTB45N60S1WG芯片IGBT 45A 600V TO-247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB45N60S1WG芯片IGBT 45A 600V TO-247技术与应用介绍 安森美（onsemi）的NGTB45N60S1WG芯片IGBT是一种高性能的半导体器件，具有45A的电流容量和600V的额定电压。该芯片采用TO-247封装，具有优良的电气性能和可靠性。 技术特点： * 高速开关特性：NGTB45N60S1WG芯片IGBT具有快速开关特性，适用于各种高频应用场景，如逆变器、变频器、电机控制等。 * 高温性能：由于其高电流容量和低导通电阻，该芯片在高温环
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2024-11
onsemi安森美NGTG15N120FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTG15N120FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其NGTG15N120FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域以及发展趋势。 首先，NGTG15N120FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3采
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2024-11
onsemi安森美NGTB45N60SWG芯片IGBT 600V 45A TO-247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB45N60SWG芯片IGBT 600V 45A TO-247技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体解决方案提供商，其NGTB45N60SWG芯片IGBT 600V 45A TO-247在电力电子领域具有广泛的应用前景。本文将围绕该芯片的特点、技术原理、应用领域以及实际应用案例展开介绍。 一、技术特点 NGTB45N60SWG芯片IGBT 600V 45A TO-247的特点在于其高耐压、大电流以及低损耗等特点。该芯片采用先进的封装技术，使得散热
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2024-11
onsemi安森美NGTB30N65IHL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB30N65IHL2WG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB30N65IHL2WG芯片是一款应用于工业电源和电动汽车等领域的650V 60A IGBT器件，其采用先进的栅极驱动技术，具有高效率和低热阻等特点，是实现高效节能的关键元件。 该芯片采用TO247-3封装形式，具有高功率密度和低热阻等优点，适用于高温和高压等恶劣环境。其栅极驱动器采用独立设计，具有低导通电阻和高频率响应能力，可有效降低功耗和噪音干扰。 在技术应用方面，该芯片广泛应用于变频
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2024-11
onsemi安森美TIG065E8-TL-H芯片IGBT 400V 150A ECH8的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美TIG065E8-TL-H芯片IGBT 400V 150A ECH8技术与应用介绍 onsemi安森美TIG065E8-TL-H芯片IGBT是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)，适用于各种电源和电子设备。它具有高输入阻抗、低导通压降和快速开关特性，特别适用于高频和高效能的应用环境。 技术特点： * 400V设计，额定电流高达150A； * 短接功能设计，防止短路风险； * 内置阻尼二极管，降低热损耗； * 高频响应性能优异，适用于各种电源设备； * 芯片内集成功率
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2024-11
onsemi安森美FGA6560WDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA6560WDF芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGA6560WDF芯片是一款具有创新性的IGBT（绝缘栅双极晶体管）技术，其采用TRENCH/FS 650V 120A TO3PN封装，具有高效、可靠和节能的特点。 技术特点： 1. 高压TRENCH技术：该技术将IGBT的P-MOS和N-MOS集成在同一芯片上，减少了电气间的空间电荷隧道和界面漏电流，从而提高了器件的效率和可靠性。 2. 高效散热设计：FGA6560WDF采用TO3PN封装，具有良好的