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2024-08
onsemi安森美FGY100T120RWD芯片1200V, 100A TRENCH FIELD STOP VI的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGY100T120RWD芯片：1200V，100A TRENCH FIELD STOP VI的技术与应用详解 安森美半导体FGY100T120RWD芯片是一款高性能的1200V，100A TRENCH FIELD STOP VI器件，其卓越的技术特点和广泛的应用领域使其在电力电子领域中占据了重要地位。 首先，FGY100T120RWD芯片采用了先进的沟槽场板技术（Trench Field Stop），这种技术能有效降低器件的体二极管电压和电流，从而减少器件的功耗和热阻
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2024-08
onsemi安森美FGH75T65UPD-F085芯片IGBT 650V 150A 375W TO-247AB的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH75T65UPD-F085芯片IGBT 650V 150A 375W TO-247AB的技术和应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其FGH75T65UPD-F085芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器、加热设备等。该芯片具有650V的电压耐压，可承受高达150A的电流，以及375W的功率输出，适用于大功率的电子设备。 该芯片采用TO-247AB封装，具有优良的热性能和电气性能，能够有效
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2024-08
onsemi安森美FGHL75T65LQDTL4芯片FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2的技术和应用介绍
标题：onsemi FGHL75T65LQDTL4芯片：FS4低VCESAT IGBT 650V 75A TO2的技术与应用介绍 onsemi安森美FGHL75T65LQDTL4芯片是一款高性能的FS4低VCESAT IGBT 650V 75A TO2。这款芯片以其卓越的性能和独特的设计，在电源转换和电机控制等领域中发挥着重要作用。 FGHL75T65LQDTL4芯片采用了先进的650V技术，能够在高电压、大电流的条件下保持稳定的性能。其独特的FS4低VCESAT设计，使得芯片在低电压条件下仍
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2024-08
onsemi安森美FGHL75T65MQDT芯片FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24的技术和应用介绍
标题：onsemi FGHL75T65MQDT芯片：FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24的技术和应用介绍 onsemi FGHL75T65MQDT芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24。这款芯片以其出色的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，特别是在电源转换和电机控制等领域。 FGHL75T65MQDT芯片采用先进的半导体技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点。其内部集成度高，结构紧凑，易于集成到现有的电路中。此外，它还
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2024-08
onsemi安森美FGHL75T65MQDTL4芯片FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24的技术和应用介绍
标题：onsemi FGHL75T65MQDTL4芯片：FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24技术详解及应用介绍 onsemi安森美FGHL75T65MQDTL4芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中占据着重要的地位。 FGHL75T65MQDTL4芯片采用了先进的650V技术，能够承受高达75A的电流，提供了出色的功率转换效率。其TO24封装设计，使得芯片具有较高的
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2024-08
onsemi安森美FGHL50T65MQDTL4芯片FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24的技术和应用介绍
标题：onsemi FGHL50T65MQDTL4芯片：FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24的技术与应用介绍 onsemi安森美FGHL50T65MQDTL4芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24。该芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中发挥着重要的作用。 FGHL50T65MQDTL4芯片采用了先进的半导体技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点。其独特的结构设计，使得其在各种恶劣环境下仍能保持良好的性能。此
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2024-08
onsemi安森美FGHL50T65MQD芯片IGBT 650V 50A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGHL50T65MQD芯片IGBT 650V 50A TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美FGHL50T65MQD芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管），其特点是650V的电压规格和高达50A的电流输出。这款芯片广泛应用于各种电子设备中，特别是在电力转换和控制领域。 技术特点： 1. 650V的电压规格使得FGHL50T65MQD芯片能够承受更高的电压，增强了系统的稳定性和可靠性。 2. 50A的电流输出意味着芯片可以有效地控制大电流的流动，适用于各
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2024-08
onsemi安森美FGH40T65SHD-F155芯片IGBT 650V 80A 268W TO-247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH40T65SHD-F155芯片IGBT 650V 80A 268W TO-247技术与应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体供应商，其FGH40T65SHD-F155芯片IGBT 650V 80A 268W TO-247器件在电力电子领域具有广泛的应用。本文将围绕该器件的技术特点、应用领域以及实际应用案例展开介绍。 一、技术特点 FGH40T65SHD-F155芯片IGBT具有650V的额定电压和80A的额定电流，同时具有268W的峰值功率。该器件采
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2024-08
onsemi安森美FGI3040G2-F085芯片ECOSPARK 2-400V IGNITION IGBT的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGI3040G2-F085芯片：ECOSPARK 2-400V IGNITION IGBT的技术与应用详解 onsemi安森美FGI3040G2-F085芯片是一款高性能的IGNITION IGBT，以其卓越的性能和广泛的应用领域而备受瞩目。ECOSPARK 2-400V IGNITION IGBT的出色特性使其在汽车电子领域中发挥着至关重要的作用。 技术特点： 1. 高压性能：FGI3040G2-F085芯片具备出色的高压性能，能够承受高达400V的电压，为汽车点火
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2024-08
onsemi安森美AFGHL75T65SQDC芯片IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美AFGHL75T65SQDC芯片IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT技术与应用详解 onsemi安森美AFGHL75T65SQDC芯片是一款采用SIC COPACK封装技术的IGBT，它集成了超结IGBT与肖特基二极管的特点，具有更高的开关频率和更低的功耗。 首先，我们来了解一下IGBT的基本概念。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种复合型电力电子器件，具有较高的开关频率和较低的通态电压，因此在变
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2024-08
onsemi安森美FGH75T65SHDTL4芯片IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH75T65SHDTL4芯片IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体解决方案提供商，其FGH75T65SHDTL4芯片是一款具有强大性能的IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247。这款芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中发挥着至关重要的作用。 首先，我们来了解一下这款芯片的特点。FGH75T65SHDTL4芯片采用了先进的650V技术，能够承受高达1
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2024-08
onsemi安森美AFGHL40T65SPD芯片FS3 T TO247 40A 650V AUTO的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美AFGHL40T65SPD芯片FS3 T TO247 40A 650V AUTO技术与应用介绍 onsemi安森美AFGHL40T65SPD芯片是一款应用于开关电源、逆变器等领域的优质功率半导体器件。其具有FS3 T TO247封装形式，额定电流为40A，额定电压为650V，并且具备自动换向功能，能够满足各种复杂电路环境下的高效率、高稳定性和高可靠性需求。 技术特点： 1. 高效能：采用先进的功率MOSFET技术，具有高开关频率和低损耗特性，可有效降低电源系统的能量损失