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2024-10
onsemi安森美NGB8202NT4芯片IGBT 440V 20A 150W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB8202NT4芯片：IGBT 440V 20A 150W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8202NT4芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其规格为440V 20A 150W D2PAK，广泛应用于各种电子设备中。这款芯片以其出色的性能和可靠性，在电力转换、电机驱动、逆变器等领域发挥着重要作用。 技术特点： 1. 高压设计：NGB8202NT4芯片采用440V的高压设计，能够承受较大的电压波动，适用于各种高电压场合。 2. 高速开关特
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2024-10
onsemi安森美HGTG18N120BN芯片IGBT 1200V 54A 390W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTG18N120BN芯片IGBT 1200V 54A 390W TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美作为全球知名的半导体厂商，其HGTG18N120BN芯片IGBT 1200V 54A 390W TO247在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有出色的性能和可靠性，适用于各种电力电子应用。 HGTG18N120BN芯片IGBT的主要特点包括： * 1200V的耐压值，能够承受较大的电压波动，保证电路的稳定运
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2024-10
onsemi安森美HGTP12N60C3D芯片IGBT 600V 24A TO220-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTP12N60C3D芯片IGBT 600V 24A TO220-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体公司，其HGTP12N60C3D芯片IGBT 600V 24A TO220-3在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用先进的工艺技术，具有高效率、高耐压、低导通电阻等特点，是变频器、电源、电机控制等领域不可或缺的关键器件。 HGTP12N60C3D芯片IGBT 600V 24A TO220-3的主要技术特点包括：采用先进的氮化镓（GaN）
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2024-10
onsemi安森美SGH40N60UFTU芯片IGBT 600V 40A TO3P的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美SGH40N60UFTU芯片IGBT 600V 40A TO3P的技术和应用介绍 onsemi安森美半导体SGH40N60UFTU芯片是一款高性能的600V 40A TO3P封装规格的绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这款芯片在电力电子应用中具有广泛的应用前景，如逆变电源、变频器、电机驱动、太阳能逆变器等。 技术特点： 1. 高压和大电流设计，适用于各种高功率应用场景； 2. 快速开关特性，使得开关损耗显著降低，提高了效率； 3. 良好的热特性，能承受高电流密度和高工作温度
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2024-10
onsemi安森美HGTG30N60C3D芯片IGBT 600V 63A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTG30N60C3D芯片IGBT 600V 63A TO247-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）HGTG30N60C3D芯片是一款高性能的600V 63A TO247-3封装结构的绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这款芯片在工业应用领域具有广泛的应用前景，如电机驱动、电源转换、可再生能源、电动工具以及各类高效率电源系统等。 HGTG30N60C3D芯片的IGBT特性为其提供了出色的开关速度、高输入阻抗、低导通压降和快速响应时间。这使得该芯片在各种严苛的工作环境下
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2024-10
onsemi安森美NGB15N41CLT4G芯片IGBT N-CHAN 15A 410V D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB15N41CLT4G芯片IGBT N-CHAN 15A 410V D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB15N41CLT4G芯片IGBT N-CHAN 15A 410V D2PAK是一种高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），广泛应用于各种电子设备中，如电源转换器、电机驱动器、太阳能逆变器等。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域以及实际应用中的注意事项。 一、技术特点 NGB15N41CLT4G芯片IGBT N-CHAN具有出色的开关性能和热稳定性。
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2024-10
onsemi安森美HGTG7N60A4D芯片IGBT 600V 34A 125W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTG7N60A4D芯片IGBT 600V 34A 125W TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其HGTG7N60A4D芯片是一款高性能的600V 34A 125W IGBT模块，广泛应用于各种电子设备中。TO247封装是该芯片的常见形式，具有高功率密度和良好的热传导性能，使其在工业、电力和可再生能源领域具有广泛的应用前景。 HGTG7N60A4D芯片采用了先进的半导体工艺技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其优异的工作性能
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2024-10
onsemi安森美FGH40N60SFTU芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH40N60SFTU芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美FGH40N60SFTU芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3芯片，它以其独特的特性在电力电子领域中发挥着重要的作用。 首先，该芯片采用了先进的600V技术，能够承受高达80A的电流，适用于各种需要大电流传输和高效转换的设备。其独特的field stop设计，能够在电流过大时自动关闭，从而有效地保护了电
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2024-10
onsemi安森美HGT1S10N120BNST芯片IGBT 1200V 35A 298W TO263AB的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGT1S10N120BNST芯片IGBT 1200V 35A 298W TO263AB的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其HGT1S10N120BNST芯片IGBT是一种高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有1200V、35A和298W的规格，适用于各种电子设备。 HGT1S10N120BNST芯片IGBT采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于各种需要高效、节能和可靠电源转换的领域。在工业自动化、电力电子、新能
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2024-10
onsemi安森美NGTB40N65FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB40N65FL2WG芯片IGBT技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTB40N65FL2WG芯片IGBT是一种具有极高性能的半导体器件，具有650V的额定电压和80A的额定电流。这种芯片在许多领域都有广泛的应用，包括电力转换、电机控制、电源管理和其他需要高效能、高稳定性的电子设备。 该芯片采用了一种特殊的工艺技术，即FS（Fast Switching）技术，能够在极短的时间内完成导通和截止，从而有效地降低了功耗和发热量。这种技
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2024-10
onsemi安森美NGTB25N120FL3WG芯片IGBT 1200V 100A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB25N120FL3WG芯片IGBT 1200V 100A TO247的技术和应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体公司，其NGTB25N120FL3WG芯片IGBT是一种高性能的1200V 100A TO247封装形式的晶体管。这款芯片在许多电子设备中发挥着重要作用，特别是在电力转换和电机控制等领域。 技术特点： 1. 高压性能：NGTB25N120FL3WG芯片的电压规格为1200V，适用于需要高压工作的场合。 2. 电流容量大：其电流容量为10
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2024-10
onsemi安森美NGTB40N120IHRWG芯片IGBT 1200V 80A 384W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB40N120IHRWG芯片IGBT 1200V 80A 384W TO247的技术和应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTB40N120IHRWG芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），适用于各种电子设备中。该芯片具有1200V的耐压，80A的电流容量和384W的功率，封装形式为TO247，具有广泛的应用领域和出色的性能表现。 技术特点： 1. 耐压高达1200V，适用于需要高电压场合的电子设备。 2. 电流容量为80A，