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2024-10
onsemi安森美NGTB15N120LWG芯片IGBT 1200V 30A 156W TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB15N120LWG芯片IGBT 1200V 30A 156W TO247-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTB15N120LWG芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器、加热设备等。 该芯片采用TO247-3封装，具有1200V的耐压，电流容量为30A，功率为156W。这种封装形式提供了良好的散热性能，确保了芯片在高功率下稳定工作。 IGBT是一种复合开关器件，兼具晶体
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2024-10
onsemi安森美FGB7N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 14A D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB7N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 14A D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美FGB7N60UNDF芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）NPT 600V 14A D2PAK封装型号。这款芯片在电力电子领域中具有广泛的应用，特别是在电机驱动、电源转换和变频器等设备中。 首先，我们来了解一下IGBT的特点。它是一种复合型功率半导体器件，具有开关速度快、温度稳定性好、耐压高、电流容量大等特点。FGB7N60UNDF芯片的这些特性使其在各种
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2024-10
onsemi安森美NGB8207ANT4G芯片IGBT 365V 20A 165W D2PAK3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB8207ANT4G芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGB8207ANT4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有365V 20A 165W的规格，封装为D2PAK3。这款芯片在工业应用中具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IGBT的特点。作为一款复合型器件，IGBT具有开关速度快、温度稳定性好、通态电流可调等优点，因此在逆变器、变频器、电机驱动等需要快速切换的电路中有着广泛的应用。同时，由于其较高的热导率，NGB8207ANT4G
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2024-10
onsemi安森美FGL35N120FTDTU芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGL35N120FTDTU芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGL35N120FTDTU芯片是一款适用于高压电源系统的IGBT技术产品，其采用最新的技术，具有高效、高可靠性和高耐压等特点。 首先，FGL35N120FTDTU芯片采用了最新的IGBT技术，具有极高的开关速度和较低的损耗，从而提高了电源系统的效率。其次，该芯片采用了先进的热设计技术，具有优异的热稳定性和可靠性，能够承受更高的电压和更大的电流。此外，该芯片还具有较小的封装尺寸，能够适应更小体积的
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2024-10
onsemi安森美NGB8202NT4G芯片IGBT 440V 20A 150W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB8202NT4G芯片：IGBT 440V 20A 150W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8202NT4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其规格为440V、20A、150W，封装为D2PAK。这款芯片在电力电子领域中具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理和特性。IGBT是一种复合型半导体器件，兼具晶体管的电学特性和功率二极管的通态特性，具有开关速度快、电流容量大、热稳定性好等优点。NGB8202NT4G芯片
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2024-10
onsemi安森美HGT1S12N60A4DS芯片IGBT 600V 54A 167W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGT1S12N60A4DS芯片IGBT 600V 54A 167W D2PAK技术与应用详解 安森美（onsemi）是一家全球领先的半导体公司，其HGT1S12N60A4DS芯片IGBT是一款高性能的半导体器件，具有600V、54A和167W的出色性能。这款芯片采用D2PAK封装，具有高可靠性、低损耗和高效率等特点，广泛应用于各种电子设备中。 技术特点： 1. 600V高电压设计，能够承受较大的电压和电流负荷，适用于各种需要大功率传输的场合。 2. 54A的电流容量，
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2024-10
onsemi安森美NGD8205NT4芯片IGBT 390V 20A 125W DPAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGD8205NT4芯片：IGBT 390V 20A 125W DPAK的技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体解决方案提供商，其NGD8205NT4芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。这款芯片具有390V的额定电压，可承受高达20A的电流，并且最大输出功率可达125W。其封装形式为DPAK，使其在应用上具有很高的灵活性和可靠性。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型半导体器件，它结合了晶体管的开关特性和二极管的单
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2024-10
onsemi安森美NGB8202NT4芯片IGBT 440V 20A 150W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB8202NT4芯片：IGBT 440V 20A 150W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8202NT4芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其规格为440V 20A 150W D2PAK，广泛应用于各种电子设备中。这款芯片以其出色的性能和可靠性，在电力转换、电机驱动、逆变器等领域发挥着重要作用。 技术特点： 1. 高压设计：NGB8202NT4芯片采用440V的高压设计，能够承受较大的电压波动，适用于各种高电压场合。 2. 高速开关特
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2024-10
onsemi安森美HGTG18N120BN芯片IGBT 1200V 54A 390W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTG18N120BN芯片IGBT 1200V 54A 390W TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美作为全球知名的半导体厂商，其HGTG18N120BN芯片IGBT 1200V 54A 390W TO247在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有出色的性能和可靠性，适用于各种电力电子应用。 HGTG18N120BN芯片IGBT的主要特点包括： * 1200V的耐压值，能够承受较大的电压波动，保证电路的稳定运
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2024-10
onsemi安森美HGTP12N60C3D芯片IGBT 600V 24A TO220-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTP12N60C3D芯片IGBT 600V 24A TO220-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体公司，其HGTP12N60C3D芯片IGBT 600V 24A TO220-3在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用先进的工艺技术，具有高效率、高耐压、低导通电阻等特点，是变频器、电源、电机控制等领域不可或缺的关键器件。 HGTP12N60C3D芯片IGBT 600V 24A TO220-3的主要技术特点包括：采用先进的氮化镓（GaN）
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2024-10
onsemi安森美SGH40N60UFTU芯片IGBT 600V 40A TO3P的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美SGH40N60UFTU芯片IGBT 600V 40A TO3P的技术和应用介绍 onsemi安森美半导体SGH40N60UFTU芯片是一款高性能的600V 40A TO3P封装规格的绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这款芯片在电力电子应用中具有广泛的应用前景，如逆变电源、变频器、电机驱动、太阳能逆变器等。 技术特点： 1. 高压和大电流设计，适用于各种高功率应用场景； 2. 快速开关特性，使得开关损耗显著降低，提高了效率； 3. 良好的热特性，能承受高电流密度和高工作温度
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2024-10
onsemi安森美HGTG30N60C3D芯片IGBT 600V 63A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTG30N60C3D芯片IGBT 600V 63A TO247-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）HGTG30N60C3D芯片是一款高性能的600V 63A TO247-3封装结构的绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这款芯片在工业应用领域具有广泛的应用前景，如电机驱动、电源转换、可再生能源、电动工具以及各类高效率电源系统等。 HGTG30N60C3D芯片的IGBT特性为其提供了出色的开关速度、高输入阻抗、低导通压降和快速响应时间。这使得该芯片在各种严苛的工作环境下