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2024-09
onsemi安森美TIG058E8-TL-H芯片IGBT 400V 8ECH的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美TIG058E8-TL-H芯片IGBT 400V 8ECH的技术与应用介绍 onsemi安森美TIG058E8-TL-H芯片IGBT 400V 8ECH是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），广泛应用于各种电子设备中，特别是在电力转换和控制领域。 技术特点： 1. 高压设计，能承受400V的电压，适用于各种高压应用场景。 2. 快速开关特性，使得其在高频应用中表现出色。 3. 热稳定性高，即使在高负载下也能保持稳定的性能。 4. 集成度高，内部有自举电路，无需外部元
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2024-09
onsemi安森美AFGY160T65SPD-B4芯片IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美AFGY160T65SPD-B4芯片IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE技术及应用详解 onsemi安森美AFGY160T65SPD-B4芯片IGBT是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其特点是具有650V和160A的额定电压和电流规格，以及出色的FIELD STOP技术。这种技术能够显著提高IGBT的效率和可靠性，使其在各种工业应用中发挥着重要作用。 首先，安森美AFGY160T65SPD-B4芯片IGBT具有出色的热性能和电气性能
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2024-09
onsemi安森美ISL9V3040P3-F085C芯片ECOSPARK1 IGN-IGBT TO220的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美ISL9V3040P3-F085C芯片：ECOSPARK1 IGN-IGBT TO220技术与应用介绍 安森美ISL9V3040P3-F085C是一款高效能的IGBT，适用于各种工业应用，如电机驱动、电源转换和加热系统等。这款芯片采用了ECOSPARK封装，提供了便捷的安装和高效的散热性能。 技术特性： * 快速导通和关断特性，有助于减少电机和电源转换器的开关损耗 * 低的反向漏电电流，使得芯片在高工作状态下仍能保持低功耗 * 内置的栅极驱动电路和热传感功能，提供了更高
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2024-09
onsemi安森美FGAF40N60UFTU芯片IGBT 600V 40A TO3PF的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGAF40N60UFTU芯片IGBT 600V 40A TO3PF技术与应用介绍 onsemi安森美FGAF40N60UFTU芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管），它具有600V的电压和40A的电流能力，适用于各种电源和电机控制应用。 技术特点： * 这款芯片采用了先进的IGBT技术，具有更高的开关速度和更低的功耗，能够实现更高效、更可靠的电能控制。 * 它具有优良的过载和短路保护功能，能够确保系统的稳定运行，延长设备的使用寿命。 * 芯片内部集成了驱动电路
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2024-09
onsemi安森美STK762-921G-E芯片IGBT ACTIVE FILTER POWER IC的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美STK762-921G-E芯片IGBT ACTIVE FILTER POWER IC的技术和应用介绍 onsemi安森美STK762-921G-E芯片是一款IGBT ACTIVE FILTER POWER IC，它以其独特的优势在电源行业中占据了一席之地。这款芯片不仅具有高效、稳定的特点，还具备高度的灵活性，使其在各种电源应用中都能发挥出色的性能。 首先，STK762-921G-E芯片采用了先进的IGBT技术，能够在高频率下进行高效转换。这使得该芯片在为各类电子设备供电
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2024-09
onsemi安森美SGF80N60UFTU-ON芯片IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美SGF80N60UFTU-ON芯片：80A，600V N-CHANNEL IGBT的技术与应用介绍 onsemi安森美SGF80N60UFTU-ON芯片是一款高性能的N-CHANNEL IGBT，具有80A的电流容量和600V的电压规格。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中占据了重要地位。 技术特点上，SGF80N60UFTU芯片采用了先进的生产工艺，具有高饱和电压、低饱和电流、高浪涌抗性等特点。同时，其快速开关特性也使得它能快速切换电流，从而在各种
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2024-09
onsemi安森美ISL9V5045S3ST-F085芯片IGBT 480V 51A 300W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美ISL9V5045S3ST-F085芯片IGBT 480V 51A 300W D2PAK技术与应用介绍 安森美ISL9V5045S3ST-F085芯片IGBT是一款高性能的半导体功率器件，具有480V、51A的额定电压和功率，封装形式为D2PAK。这款芯片在技术上具有较高的效率和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，如逆变器、电源转换器、电机驱动器等。 ISL9V5045S3ST-F085芯片IGBT采用了先进的栅极驱动技术，使得驱动电路的设计更加简化，同时增强了产品的安全
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2024-09
onsemi安森美FGA50T65SHD芯片IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA50T65SHD芯片IGBT技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其FGA50T65SHD芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片，具有650V 100A的规格，采用TO3PN封装。这款芯片在技术上具有很大的优势，应用领域广泛。 技术特点： 1. 高压性能：FGA50T65SHD芯片具有650V的额定电压，适用于高压应用场景。 2. 高电流容量：其额定电流达到100A，能够满足大电流应用的需求。 3. 快速开关特性：IGBT具
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2024-09
onsemi安森美FGB3236-F085芯片IGBT 360V 44A 187W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB32363-F085芯片IGBT技术与应用详解 安森美FGB3236-F085芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具有360V、44A和187W的规格，适用于各种电子设备。D2PAK封装的它，具有更高的功率密度和更小的热阻抗，使其在紧凑的封装中实现更高的功率容量。 技术特点： 1. 高压性能：FGB3236-F085芯片能够承受高达360V的电压，确保在恶劣工作条件下不会发生短路。 2. 高电流能力：其44A的电流规格使其成为大电流应用的理想选择，如
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2024-09
onsemi安森美FGA40T65SHDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA40T65SHDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN技术与应用详解 onsemi安森美FGA40T65SHDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN是一种高性能的半导体器件，具有出色的性能和广泛的应用领域。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域以及实际应用案例，帮助读者更好地了解该芯片的性能和应用。 一、技术特点 1. 650V的额定电压和80A的额定电流，使其适用于各种需要大电流和高电压的电气系统。 2. 采
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2024-09
onsemi安森美FGB3040G2-F085芯片IGBT 400V 41A TO263的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB3040G2-F085芯片IGBT 400V 41A TO263技术与应用介绍 安森美（onsemi）FGB3040G2-F085芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），适用于各种工业和电源应用。该芯片采用TO263封装，具有400V的额定电压和41A的额定电流，适用于高功率转换和高频率开关的应用。 技术特点： * 高输入电压范围：FGB3040G2-F085芯片具有宽广的输入电压范围，适用于各种工业和电源应用。 * 高效率转换：由于其高功率和高频率开关能
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2024-09
onsemi安森美MGW12N120D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美MGW12N120D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A的技术与应用介绍 安森美（onsemi）的MGW12N120D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A是一款高性能的电力电子器件，广泛应用于各种需要大电流转换的场合。 首先，我们来了解一下MGW12N120D的技术特点。该芯片采用了先进的IGBT技术，具有更高的耐压和更高的电流容量，可以承受高达1.2KV的电压，同时提供高达20A的电流输出。这使得该芯片在许多应用