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2024-11
onsemi安森美FGA6560WDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA6560WDF芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGA6560WDF芯片是一款具有创新性的IGBT（绝缘栅双极晶体管）技术，其采用TRENCH/FS 650V 120A TO3PN封装，具有高效、可靠和节能的特点。 技术特点： 1. 高压TRENCH技术：该技术将IGBT的P-MOS和N-MOS集成在同一芯片上，减少了电气间的空间电荷隧道和界面漏电流，从而提高了器件的效率和可靠性。 2. 高效散热设计：FGA6560WDF采用TO3PN封装，具有良好的
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07
2024-11
onsemi安森美FGA6540WDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA6540WDF芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGA6540WDF芯片是一款优秀的650V 80A TO3PN封装形式的IGBT模块，它采用最新的技术，为现代电力电子应用提供了高效的解决方案。 技术特性上，FGA6540WDF采用了先进的TRENCH/FS技术，这使得它能提供更高的热导率和更低的损耗，大大提高了芯片的效率和可靠性。此外，其高达80A的额定电流也使其在许多应用中具有出色的性能。 应用领域方面，FGA6540WDF芯片适用于各种需要高效、
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2024-11
onsemi安森美NGTB40N60L2WG芯片IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB40N60L2WG芯片IGBT技术与应用介绍 安森美（onsemi）的NGTB40N60L2WG芯片IGBT是一款具有突破性的产品，其采用先进技术，具有高效率、低损耗和高可靠性等特点，适用于各种电子设备中。 该芯片IGBT采用600V 80A TO247封装形式，具有较高的电流容量和较快的开关速度。其工作原理基于绝缘栅双极晶体管技术，具有较高的输入阻抗和较低的导通压降，从而降低了功耗，提高了系统效率。此外，该芯片还具有较高的热稳定性，能够承受较高的温度而不会降低
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2024-11
onsemi安森美NGTG50N60FLWG芯片IGBT 600V 50A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTG50N60FLWG芯片IGBT 600V 50A TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美公司一直以其卓越的半导体产品而备受赞誉，其中NGTG50N60FLWG芯片IGBT 600V 50A TO247更是其杰出产品之一。这款芯片采用了先进的生产技术，具有卓越的性能和可靠性，被广泛应用于各种电子设备中。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、功耗低、耐压高等优点。NGTG50N60FLWG芯片采用了600V的耐压设计，能够
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2024-11
onsemi安森美NGTB30N60IHLWG芯片IGBT 600V 30A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB30N60IHLWG芯片IGBT 600V 30A TO247技术与应用详解 安森美（onsemi）的NGTB30N60IHLWG芯片IGBT 600V 30A TO247是一种高效、可靠的电子元器件，广泛应用于各种电力电子应用领域。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域以及实际应用中的注意事项。 一、技术特点 1. 600V 30A IGBT芯片：NGTB30N60IHLWG芯片采用600V 30A的IGBT芯片，具有高耐压、大电流的特点，适用于各种大功率电
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2024-11
onsemi安森美NGTB30N120IHSWG芯片IGBT 1200V 30A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB30N120IHSWG芯片IGBT 1200V 30A TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其推出的NGTB30N120IHSWG芯片IGBT 1200V 30A TO247在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流、高频响应快等优点，是变频器、伺服驱动、UPS电源等应用领域的重要元器件。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、功耗低、耐压高等优点。N
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2024-11
onsemi安森美NGTB15N120IHRWG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB15N120IHRWG芯片IGBT技术与应用详解 onsemi安森美NGTB15N120IHRWG芯片是一款高性能的IGBT，具有1200V的电压承受能力，以及高达30A的电流输出。这款芯片采用了独特的FS（Field-Stop）技术，旨在提升IGBT的电气性能和可靠性。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型功率半导体器件，具有较高的开关频率和较低的损耗，因此在电力电子领域得到了广泛应用。而FS技术则是安森美为提高IGBT性能而研发的一种
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2024-10
onsemi安森美ISL9V2540S3ST芯片IGBT 430V 15.5A TO263AB的技术和应用介绍
标题：onsemi ISL9V2540S3ST芯片：IGBT 430V 15.5A TO263AB的技术与应用详解 onsemi ISL9V2540S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），它具有430V的额定电压和15.5A的额定电流，适用于各种电子设备中高效率、高功率的电源转换应用。 技术特点： * 高压大电流设计，使得ISL9V2540S3ST在高温和低电压环境下仍能保持稳定的性能； * 优异的开关速度和响应时间，大大降低了损耗，提高了电源的效率； * 集成度较高，减少了外
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2024-10
onsemi安森美NGTG30N60FLWG芯片IGBT 600V 60A 250W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTG30N60FLWG芯片IGBT 600V 60A 250W TO247技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTG30N60FLWG芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器、加热设备等。该芯片具有600V的电压容量，可承受高达60A的电流，以及250W的功率输出。其TO247封装使得它在小型化、轻量化方面具有很大的优势。 IGBT是一种新型的功率半导体器件，具有较高的开关速度和频
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2024-10
onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片，适用于各种电子设备中。该芯片采用先进的工艺技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点，适用于各种高电压、大电流的电气系统。 IGBT是一种复合型半导体器件，具有开关速度快、热稳定性好、耐压高等优点，因此在电力电子领域得到了广泛应用。onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片的特性使其在变频器、逆变器、电机驱动
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2024-10
onsemi安森美NGTB20N135IHRWG芯片IGBT TRENCH/FS 1350V 40A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB20N135IHRWG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB20N135IHRWG芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片，其技术特点和实际应用在电子行业中具有重要意义。 首先，从技术角度看，该芯片采用先进的TRENCH/FS技术，具有极低的导通电阻，能够实现高效率、高功率的电力转换。其工作电压高达1350V，最大电流为40A，适用于各种高电压、大电流的场合。此外，该芯片还具有快速开关特性，使得其工作频率较高，有助于提高系统的整体性能。
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2024-10
onsemi安森美FGB20N60SFD芯片IGBT 600V 40A 208W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB20N60SFD芯片IGBT 600V 40A 208W D2PAK技术与应用介绍 安森美半导体，全球领先的半导体解决方案供应商，近日推出了一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）——FGB20N60SFD。这款芯片采用D2PAK封装，具有600V 40A的强大规格，适用于各种电子设备中需要高效、节能和可靠运行的应用场景。 FGB20N60SFD芯片的特点在于其高耐压、高电流能力和低导通电阻。这些特性使得它在电力转换系统、电机驱动系统、电源滤波器等领域具有广泛的应