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2024-09
onsemi安森美FGB3236-F085芯片IGBT 360V 44A 187W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB32363-F085芯片IGBT技术与应用详解 安森美FGB3236-F085芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具有360V、44A和187W的规格，适用于各种电子设备。D2PAK封装的它，具有更高的功率密度和更小的热阻抗，使其在紧凑的封装中实现更高的功率容量。 技术特点： 1. 高压性能：FGB3236-F085芯片能够承受高达360V的电压，确保在恶劣工作条件下不会发生短路。 2. 高电流能力：其44A的电流规格使其成为大电流应用的理想选择，如
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2024-09
onsemi安森美FGA40T65SHDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA40T65SHDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN技术与应用详解 onsemi安森美FGA40T65SHDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN是一种高性能的半导体器件，具有出色的性能和广泛的应用领域。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域以及实际应用案例，帮助读者更好地了解该芯片的性能和应用。 一、技术特点 1. 650V的额定电压和80A的额定电流，使其适用于各种需要大电流和高电压的电气系统。 2. 采
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2024-09
onsemi安森美FGB3040G2-F085芯片IGBT 400V 41A TO263的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB3040G2-F085芯片IGBT 400V 41A TO263技术与应用介绍 安森美（onsemi）FGB3040G2-F085芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），适用于各种工业和电源应用。该芯片采用TO263封装，具有400V的额定电压和41A的额定电流，适用于高功率转换和高频率开关的应用。 技术特点： * 高输入电压范围：FGB3040G2-F085芯片具有宽广的输入电压范围，适用于各种工业和电源应用。 * 高效率转换：由于其高功率和高频率开关能
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2024-09
onsemi安森美MGW12N120D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美MGW12N120D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A的技术与应用介绍 安森美（onsemi）的MGW12N120D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A是一款高性能的电力电子器件，广泛应用于各种需要大电流转换的场合。 首先，我们来了解一下MGW12N120D的技术特点。该芯片采用了先进的IGBT技术，具有更高的耐压和更高的电流容量，可以承受高达1.2KV的电压，同时提供高达20A的电流输出。这使得该芯片在许多应用
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2024-09
onsemi安森美FGD3440G2-F085芯片IGBT 400V 26.9A TO252AA的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGD3440G2-F085芯片IGBT 400V 26.9A TO252AA的技术与应用介绍 安森美半导体FGD3440G2-F085芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具有400V和26.9A的规格，封装为TO252AA。这款芯片广泛应用于各种电源和电机驱动系统，以其高效率、高可靠性以及易于集成的特性而受到广泛关注。 技术特性上，FGD3440G2-F085芯片具有快速开关速度、低导通电阻和出色的热性能。这些特性使其在需要高效电源转换和快速电流控制的系
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2024-09
onsemi安森美FGD3050G2V芯片IGBT 500V 27A DPAK-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGD3050G2V芯片：IGBT 500V 27A DPAK-3的技术与应用介绍 onsemi安森美FGD3050G2V芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有500V和27A的规格，封装为DPAK-3。这款芯片广泛应用于各种电子设备中，特别是在电力转换和调节领域。 技术特点： 1. 高压性能：FGD3050G2V的额定电压为500V，能够承受较高的电压和电流，适用于需要高压工作的场景。 2. 快速开关特性：IGBT具有快速的开关特性，能够在短时间内进行导
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2024-09
onsemi安森美FGD3245G2-F085V芯片IGBT 450V DPAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGD3245G2-F085V芯片IGBT 450V DPAK技术与应用介绍 onsemi安森美FGD3245G2-F085V芯片IGBT 450V DPAK是一种高效、高耐压的绝缘栅双极晶体管，被广泛应用于电力电子领域。这款芯片在开关应用中表现出了出色的性能，包括高电流密度、快速开关特性和低导通电阻等。 FGD3245G2-F085V芯片IGBT采用了先进的半导体技术，具有高耐压、大电流和高热导率等特点，使其在电力转换和调节中发挥了重要作用。该芯片的封装为DPAK，具
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2024-09
onsemi安森美HGTD7N60C3S9A芯片IGBT 600V 14A TO252AA的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTD7N60C3S9A芯片IGBT 600V 14A TO252AA的技术与应用介绍 onsemi安森美HGTD7N60C3S9A芯片IGBT，一款具有600V特性的14A IGBT，以其卓越的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中占据着重要的地位。 技术特点： 1. 高压、大电流设计，适用于各种功率转换系统，如逆变器、直流电源等； 2. 快速开关速度，使得系统在切换时具有较低的损耗； 3. 温度范围宽，可在恶劣环境下稳定工作； 4. 采用TO252AA封装，具有小
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2024-09
onsemi安森美ISL9V3040D3ST-F085C芯片ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美ISL9V3040D3ST-F085C芯片：ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252技术与应用详解 安森美ISL9V3040D3ST-F085C芯片是一款高性能的IGBT模块，采用ECOSPARK1封装，适用于各种工业和电源应用。该芯片具有出色的热性能和电气性能，能够承受高电压和大电流，是实现高效、可靠和安全电源系统的理想选择。 技术特点： 1. 高压、大电流设计，适用于各种工业和电源应用； 2. 优异的热性能和电气性能，能够承受高电压和大电流； 3. 采用EC
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2024-09
onsemi安森美MGW14N60ED芯片IGBT, 18A, 600V, N-CHANNEL的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美MGW14N60ED芯片IGBT：18A，600V，N-CHANNEL的技术与应用详解 安森美半导体（onsemi）的MGW14N60ED芯片IGBT是一款高性能的N-CHANNEL IGBT模块，具有18A的电流容量和600V的电压规格。这款芯片在许多电子设备中发挥着关键作用，特别是在需要高效且安全地转换和传输电力的情况下。 技术特点上，MGW14N60ED采用了先进的半导体工艺技术，具有高开关速度、低导通电阻和快速开关特性。这些特性使得它在逆变器、变频器、太阳能逆变
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2024-09
onsemi安森美NGB8206ANTF4G芯片IGBT的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB8206ANTF4G芯片IGBT的技术和应用介绍 onsemi安森美NGB8206ANTF4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），它集成了功率MOSFET和双极性晶体管的特性，具有高开关速度、低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于各种电源和电机驱动系统中。 技术特点： 1. 高开关速度：NGB8206ANTF4G芯片的IGBT具有高输入阻抗，使得开关速度非常高，能够快速地导通和截止电源。 2. 低导通电阻：芯片的导通电阻非常低，能够有效地降低电源的功耗
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2024-09
onsemi安森美STP8057芯片IGBT T0220 SPCL 400V的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美STP8057芯片IGBT T0220 SPCL 400V的技术与应用介绍 onsemi安森美STP8057芯片IGBT T0220 SPCL 400V是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。它具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于各种功率转换和调节应用。 STP8057芯片采用先进的工艺技术，具有优异的电气性能和可靠性。它具有快速开关时间，能够快速响应负载变化，减少系统损耗，提高效率。此外，它还具有出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，延长设备的使用