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2024-10
onsemi安森美ISL9V2540S3ST芯片IGBT 430V 15.5A TO263AB的技术和应用介绍
标题：onsemi ISL9V2540S3ST芯片：IGBT 430V 15.5A TO263AB的技术与应用详解 onsemi ISL9V2540S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），它具有430V的额定电压和15.5A的额定电流，适用于各种电子设备中高效率、高功率的电源转换应用。 技术特点： * 高压大电流设计，使得ISL9V2540S3ST在高温和低电压环境下仍能保持稳定的性能； * 优异的开关速度和响应时间，大大降低了损耗，提高了电源的效率； * 集成度较高，减少了外
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2024-10
onsemi安森美NGTG30N60FLWG芯片IGBT 600V 60A 250W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTG30N60FLWG芯片IGBT 600V 60A 250W TO247技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTG30N60FLWG芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器、加热设备等。该芯片具有600V的电压容量，可承受高达60A的电流，以及250W的功率输出。其TO247封装使得它在小型化、轻量化方面具有很大的优势。 IGBT是一种新型的功率半导体器件，具有较高的开关速度和频
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2024-10
onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片，适用于各种电子设备中。该芯片采用先进的工艺技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点，适用于各种高电压、大电流的电气系统。 IGBT是一种复合型半导体器件，具有开关速度快、热稳定性好、耐压高等优点，因此在电力电子领域得到了广泛应用。onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片的特性使其在变频器、逆变器、电机驱动
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2024-10
onsemi安森美NGTB20N135IHRWG芯片IGBT TRENCH/FS 1350V 40A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB20N135IHRWG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB20N135IHRWG芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片，其技术特点和实际应用在电子行业中具有重要意义。 首先，从技术角度看，该芯片采用先进的TRENCH/FS技术，具有极低的导通电阻，能够实现高效率、高功率的电力转换。其工作电压高达1350V，最大电流为40A，适用于各种高电压、大电流的场合。此外，该芯片还具有快速开关特性，使得其工作频率较高，有助于提高系统的整体性能。
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2024-10
onsemi安森美FGB20N60SFD芯片IGBT 600V 40A 208W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB20N60SFD芯片IGBT 600V 40A 208W D2PAK技术与应用介绍 安森美半导体，全球领先的半导体解决方案供应商，近日推出了一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）——FGB20N60SFD。这款芯片采用D2PAK封装，具有600V 40A的强大规格，适用于各种电子设备中需要高效、节能和可靠运行的应用场景。 FGB20N60SFD芯片的特点在于其高耐压、高电流能力和低导通电阻。这些特性使得它在电力转换系统、电机驱动系统、电源滤波器等领域具有广泛的应
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2024-10
onsemi安森美NGTB15N120LWG芯片IGBT 1200V 30A 156W TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB15N120LWG芯片IGBT 1200V 30A 156W TO247-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTB15N120LWG芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器、加热设备等。 该芯片采用TO247-3封装，具有1200V的耐压，电流容量为30A，功率为156W。这种封装形式提供了良好的散热性能，确保了芯片在高功率下稳定工作。 IGBT是一种复合开关器件，兼具晶体
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2024-10
onsemi安森美FGB7N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 14A D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB7N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 14A D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美FGB7N60UNDF芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）NPT 600V 14A D2PAK封装型号。这款芯片在电力电子领域中具有广泛的应用，特别是在电机驱动、电源转换和变频器等设备中。 首先，我们来了解一下IGBT的特点。它是一种复合型功率半导体器件，具有开关速度快、温度稳定性好、耐压高、电流容量大等特点。FGB7N60UNDF芯片的这些特性使其在各种
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2024-10
onsemi安森美NGB8207ANT4G芯片IGBT 365V 20A 165W D2PAK3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB8207ANT4G芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGB8207ANT4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有365V 20A 165W的规格，封装为D2PAK3。这款芯片在工业应用中具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IGBT的特点。作为一款复合型器件，IGBT具有开关速度快、温度稳定性好、通态电流可调等优点，因此在逆变器、变频器、电机驱动等需要快速切换的电路中有着广泛的应用。同时，由于其较高的热导率，NGB8207ANT4G
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2024-10
onsemi安森美FGL35N120FTDTU芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGL35N120FTDTU芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGL35N120FTDTU芯片是一款适用于高压电源系统的IGBT技术产品，其采用最新的技术，具有高效、高可靠性和高耐压等特点。 首先，FGL35N120FTDTU芯片采用了最新的IGBT技术，具有极高的开关速度和较低的损耗，从而提高了电源系统的效率。其次，该芯片采用了先进的热设计技术，具有优异的热稳定性和可靠性，能够承受更高的电压和更大的电流。此外，该芯片还具有较小的封装尺寸，能够适应更小体积的
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2024-10
onsemi安森美NGB8202NT4G芯片IGBT 440V 20A 150W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB8202NT4G芯片：IGBT 440V 20A 150W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8202NT4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其规格为440V、20A、150W，封装为D2PAK。这款芯片在电力电子领域中具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理和特性。IGBT是一种复合型半导体器件，兼具晶体管的电学特性和功率二极管的通态特性，具有开关速度快、电流容量大、热稳定性好等优点。NGB8202NT4G芯片
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2024-10
onsemi安森美HGT1S12N60A4DS芯片IGBT 600V 54A 167W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGT1S12N60A4DS芯片IGBT 600V 54A 167W D2PAK技术与应用详解 安森美（onsemi）是一家全球领先的半导体公司，其HGT1S12N60A4DS芯片IGBT是一款高性能的半导体器件，具有600V、54A和167W的出色性能。这款芯片采用D2PAK封装，具有高可靠性、低损耗和高效率等特点，广泛应用于各种电子设备中。 技术特点： 1. 600V高电压设计，能够承受较大的电压和电流负荷，适用于各种需要大功率传输的场合。 2. 54A的电流容量，
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2024-10
onsemi安森美NGD8205NT4芯片IGBT 390V 20A 125W DPAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGD8205NT4芯片：IGBT 390V 20A 125W DPAK的技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体解决方案提供商，其NGD8205NT4芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。这款芯片具有390V的额定电压，可承受高达20A的电流，并且最大输出功率可达125W。其封装形式为DPAK，使其在应用上具有很高的灵活性和可靠性。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型半导体器件，它结合了晶体管的开关特性和二极管的单