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2024-08
onsemi安森美FGY120T65SPD-F085芯片IGBT 650V 240A 882W TO-247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGY120T65SPD-F085芯片IGBT 650V 240A 882W TO-247技术与应用介绍 安森美FGY120T65SPD-F085芯片IGBT是一种重要的电子元件，其应用范围广泛，包括电力电子、通信、汽车等领域。本文将详细介绍FGY120T65SPD-F085芯片IGBT的技术特点和主要应用。 首先，FGY120T65SPD-F085芯片IGBT采用了先进的650V技术，能够承受高达240A的电流和882W的功率。这种高功率、高电流的特性使得FGY120
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2024-08
onsemi安森美FGY160T65SPD-F085芯片650V FS GEN3 TRENCH IGBT的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGY160T65SPD-F085芯片：650V FS GEN3 TRENCH IGBT技术与应用详解 安森美半导体FGY160T65SPD-F085芯片是一款采用650V FS GEN3 TRENCH IGBT技术的产品，具有广泛的应用前景。这款芯片在工业、可再生能源和电动汽车等领域具有重要应用价值。 FGY160T65SPD-F085芯片的650V FS GEN3 TRENCH IGBT技术具有高效、高耐压、高频率等特性，适用于各种高功率、高电压的电子设备。该技术采
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2024-08
onsemi安森美FGY60T120SQDN芯片IGBT 1200V 60A UFS的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGY60T120SQDN芯片IGBT 1200V 60A UFS技术与应用详解 onsemi安森美FGY60T120SQDN芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于各种电力电子应用，如逆变器、变频器、电机驱动等。该芯片采用1200V 60A UFS技术，具有高耐压、大电流、快速开关等特性，大大提高了系统的效率和可靠性。 技术特点： * 高耐压：1200V的电压规格，使得该芯片能够在更高的电压环境下工作，降低了对电路设计的要求，提高了系统的整体性能。 *
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2024-08
onsemi安森美FGH40T120SMD芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH40T120SMD芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3技术与应用详解 onsemi安森美FGH40T120SMD芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。它具有高耐压、大电流、低损耗等特点，是现代电子技术中的关键元件之一。 首先，FGH40T120SMD芯片采用TO-247-3封装，具有高可靠性、高耐压、低热阻等优点。其采用先进的IGBT技术，工作频率极高
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2024-08
onsemi安森美NGTB50N65FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB50N65FL2WG芯片IGBT技术与应用介绍 安森美（onsemi）的NGTB50N65FL2WG芯片IGBT是一种具有创新特性的电子元件，它采用了先进的650V技术，能够提供高达100A的电流容量。这种芯片在许多领域中都有广泛的应用，包括电力转换系统、电机驱动、太阳能逆变器以及电动汽车等。 在电力转换系统中，IGBT是一种关键的功率半导体，它能够控制电流的流向和大小。NGTB50N65FL2WG芯片IGBT的高电流容量和低损耗特性，使其在高效能的电源设计中扮
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2024-07
onsemi安森美FGH75T65SQD-F155芯片IGBT 650V 150A 375W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH75T65SQD-F155芯片IGBT 650V 150A 375W TO247的技术和应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体供应商，其FGH75T65SQD-F155芯片IGBT以其出色的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中占据着重要的地位。这款芯片IGBT采用TO247封装，具有650V的额定电压和150A的额定电流，适用于各种高功率电子设备。 技术特点： 1. 高效能：FGH75T65SQD-F155芯片IGBT在保持高电流密度的同时，具有出
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2024-07
onsemi安森美FGH60T65SHD-F155芯片IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH60T65SHD-F155芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGH60T65SHD-F155芯片IGBT，一款具有高效率、高可靠性和高功率处理能力的产品，广泛应用于各种电子设备中。这款芯片采用先进的工艺技术，具有独特的TRENCH/FS 650V技术，实现了高效且稳定的功率转换。 首先，我们来了解一下这款芯片的特性。它支持高达120A的电流，适用于各种大功率应用场景。其独特的TRENCH/FS技术，通过优化热性能和降低开关损耗，大大提高了芯片的效率和可
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2024-07
onsemi安森美FGA40N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA40N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN技术与应用介绍 onsemi安森美FGA40N65SMD芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN，它是一款广泛应用于电力电子领域的半导体器件。 首先，我们来了解一下这款芯片的特点。它采用了先进的650V技术，能够承受高达80A的电流，同时保持低导通电阻，从而实现了高效、稳定的功率转换。此外，它还具有出色的热稳定性，能够在高负荷下保持稳定的性能，确保
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2024-07
onsemi安森美ISL9V3040S3ST芯片IGBT 430V 21A TO263AB的技术和应用介绍
标题：onsemi ISL9V3040S3ST芯片IGBT 430V 21A TO263AB的技术与应用介绍 onsemi ISL9V3040S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），它具有430V 21A的额定电压和电流，以及TO-263AB的封装形式。这种新型的功率半导体器件在许多领域都有着广泛的应用，包括电力转换、电机驱动、逆变器、充电桩等。 ISL9V3040S3ST芯片的特点在于其出色的开关速度和热效率。它的开启和关闭速度非常快，这使得它非常适合用于需要频繁开关的场合，
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2024-07
onsemi安森美ISL9V3040D3ST芯片IGBT 430V 21A TO252AA的技术和应用介绍
标题：onsemi ISL9V3040D3ST芯片IGBT 430V 21A TO252AA的技术和应用介绍 onsemi ISL9V3040D3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），采用TO252AA封装，适用于各种电源应用领域。该芯片具有430V的额定电压和高达21A的额定电流，适用于需要高效、可靠和安全电源转换的场合。 技术特点： 1. 430V的额定电压和高达21A的额定电流，适用于各种电源应用领域。 2. 采用先进的IGBT技术，具有更高的开关速度和效率。 3. 内置的
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2024-07
onsemi安森美FGA60N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA60N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P的技术与应用介绍 onsemi安森美FGA60N65SMD芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P，它是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。 首先，我们来了解一下这款芯片的技术特点。它采用了先进的650V技术，能够承受高达650V的电压，具有出色的耐压性能。同时，它还具有120A的电流容量，适用于各种大功率应用场景。此外，该芯片还采
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2024-07
onsemi安森美FGHL40T65MQDT芯片FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO24的技术和应用介绍
标题：onsemi FGHL40T65MQDT芯片FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO24技术与应用介绍 onsemi安森美FGHL40T65MQDT芯片是一款适用于中速（FS4）IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的650V 40A TO-24封装产品。该芯片以其高效率、高可靠性、低噪音和良好的热特性，广泛应用于各种电源和电机控制领域。 技术特点： * 650V 40A的耐压和电流规格，保证了芯片在高温和高压环境下仍能保持稳定的工作状态； * 中速（FS4）设计，适用于中功