最近，韩国《京乡新闻》引用了半导体行业的消息，指出随着人工智能服务器领域投资的扩大，高带宽存储器（HBM）对DDR5等高附加值DRAM的需求不断增加。相反，NAND市场的需求继续萎缩。

在这种情况下，一些存储制造商已经开始关注NAND领域的减产。SK海力士在最新的财务报告中表示，与DRAM库存去库存相比，NAND闪存去库存相对缓慢，因此公司决定扩大NAND产品的减产规模。

三星电子存储部执行副总裁Jaejune Kim在财务报告电话会议上提到，三星将延长减产行动，并调整一些产品的额外产量，包括NAND闪存芯片。

然而，目前的困难并不意味着NAND在未来没有发展前景。从长远来看，安森美半导体，ONSemi随着人工智能、大数据等技术的不断发展，对大容量存储产品的需求将会增加，包括SSD Flash仍有广阔的发展空间。因此，大型存储制造商也在不遗余力地布局NAND 为了将来的发展，Flash堆叠技术。

目前，NAND Flash已经突破了200层堆叠的大关，SK海力士已经开始量产238层4D NAND闪存。未来，存储制造商将继续努力实现更高层次的NAND Flash，美光计划推出2YY、铠侠和西数也在积极探索300层以上、400层以上、500层以上的3D产品，如3XX和4XX NAND技术，三星计划在2024年推出第九代3D NAND(预计达到280层)，2025-2026年推出第十代3D NAND(预计将达到430层)，并在2030年之前实现1000层NANDD。 Flash。

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