根据意大利半导体官方网站，开发电子电力设备的难度正在飙升。如何在满足绿色低碳和可持续发展要求的同时，不断提高效率和功率性能，降低成本和尺寸？我们发现氮化镓(GaN)它是一种新型宽带间隙化合物，为功率转换解决方案带来了极高的附加值。Gan技术的使用有助于实现上述目标。随着该技术商业化步伐的加快，它也被广泛应用于功率转换应用。 氮化镓（GaN）它是一种无机物，化学式为Gan，是氮和镓的化合物。它是一种直接能隙的半导体，结构与纤锌矿相似，硬度高。氮化镓的能隙很宽，是3.4电子伏特，可用于高功率、高速光电元件，如紫光激光二极管中的发射器。

▲与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管的优点是什么？Gan在质量因数上(FoM)、导通电阻 (RDS(on))和总栅电荷(QG)性能更好，提供高泄漏电压能力、零反向恢复电荷（可忽略在共源共栅装置中）和极低的本征电容。先进的Gan技术解决方案可以提高功率转换效率，同时满足极其严格的能源要求，实现更高的功率密度，工作频率更高，设备外观更紧凑。意大利半导体最近宣布，安森美半导体，ONSemi它已经开始大规模生产增强模式PowerGaN，可以简化高效功率转换系统的设计 HEMT(高电子迁移率晶体管)装置。STPOWER 基于氮化镓的GaN晶体管(GaN)高效晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。SGT120R65AL和SGT65R65AL两款产品均为工业级650V常关G-HEMT晶体管采用PowerFLAT 5×6 HV贴装包装，额定电流分别为15A和25A，25A°典型的C导电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nc和5.4nc的总格栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关闭能量损失。开尔文源极引脚可优化栅极驱动。两种新型Gan晶体管除了减少电源和适配器的尺寸和重量外，还可以实现更高的能效、更低的工作温度和更长的使用寿命。G-HEMT装置的意大半导体将加速功率转换系统向Gan宽带间隙技术的过渡。Gan晶体管的击穿电压和导电阻RDS(on)与硅基晶体管相同，总格栅极电荷和寄生电容较低，无反向恢复电荷。这些特性提高了晶体管的能效和开关性能，可以利用更小的无源设备实现更高的开关频率和功率密度。因此，应用设备可以变小，性能更高。未来，Gan有望实现拓扑结构的新功率转换，进一步提高能效，降低功耗。意大利半导体PowerGan分立器件产能充足，能支持客户快速量产需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL现已上市，PowerFLAT 5×6 HV封装。在接下来的几个月里，意大利半导体还将推出包括PowerFLAT在内的新型PowerGan产品，即车辆规则设备和更多的功率包装形式 8×8 DSC和LFPAK 12×12大功率封装。让我们拭目以待吧！

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