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onsemi安森美NGTB25N120FL3WG芯片IGBT 1200V 100A TO247的技术和应用介绍
2024-10-06
标题:onsemi安森美NGTB25N120FL3WG芯片IGBT 1200V 100A TO247的技术和应用介绍 安森美(onsemi)作为全球知名的半导体公司,其NGTB25N120FL3WG芯片IGBT是一种高性能的1200V 100A TO247封装形式的晶体管。这款芯片在许多电子设备中发挥着重要作用,特别是在电力转换和电机控制等领域。 技术特点: 1. 高压性能:NGTB25N120FL3WG芯片的电压规格为1200V,适用于需要高压工作的场合。 2. 电流容量大:其电流容量为10
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