NGTB15N120IHRWG 相关话题

标题：onsemi安森美NGTB15N120IHRWG芯片IGBT技术与应用详解 onsemi安森美NGTB15N120IHRWG芯片是一款高性能的IGBT，具有1200V的电压承受能力，以及高达30A的电流输出。这款芯片采用了独特的FS（Field-Stop）技术，旨在提升IGBT的电气性能和可靠性。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型功率半导体器件，具有较高的开关频率和较低的损耗，因此在电力电子领域得到了广泛应用。而FS技术则是安森美为提高IGBT性能而研发的一种