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onsemi安森美HGTD7N60C3S9A芯片IGBT 600V 14A TO252AA的技术和应用介绍
2024-09-15
标题:onsemi安森美HGTD7N60C3S9A芯片IGBT 600V 14A TO252AA的技术与应用介绍 onsemi安森美HGTD7N60C3S9A芯片IGBT,一款具有600V特性的14A IGBT,以其卓越的性能和广泛的应用领域,在电力电子领域中占据着重要的地位。 技术特点: 1. 高压、大电流设计,适用于各种功率转换系统,如逆变器、直流电源等; 2. 快速开关速度,使得系统在切换时具有较低的损耗; 3. 温度范围宽,可在恶劣环境下稳定工作; 4. 采用TO252AA封装,具有小
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