HGT1S10N120BNST 相关话题

标题：onsemi安森美HGT1S10N120BNST芯片IGBT 1200V 35A 298W TO263AB的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其HGT1S10N120BNST芯片IGBT是一种高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有1200V、35A和298W的规格，适用于各种电子设备。 HGT1S10N120BNST芯片IGBT采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于各种需要高效、节能和可靠电源转换的领域。在工业自动化、电力电子、新能