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onsemi安森美FGY100T120RWD芯片1200V, 100A TRENCH FIELD STOP VI的技术和应用介绍
2024-08-22
标题:onsemi安森美FGY100T120RWD芯片:1200V,100A TRENCH FIELD STOP VI的技术与应用详解 安森美半导体FGY100T120RWD芯片是一款高性能的1200V,100A TRENCH FIELD STOP VI器件,其卓越的技术特点和广泛的应用领域使其在电力电子领域中占据了重要地位。 首先,FGY100T120RWD芯片采用了先进的沟槽场板技术(Trench Field Stop),这种技术能有效降低器件的体二极管电压和电流,从而减少器件的功耗和热阻
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