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onsemi安森美FGA6560WDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN的技术和应用介绍
2024-11-08
标题:onsemi安森美FGA6560WDF芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGA6560WDF芯片是一款具有创新性的IGBT(绝缘栅双极晶体管)技术,其采用TRENCH/FS 650V 120A TO3PN封装,具有高效、可靠和节能的特点。 技术特点: 1. 高压TRENCH技术:该技术将IGBT的P-MOS和N-MOS集成在同一芯片上,减少了电气间的空间电荷隧道和界面漏电流,从而提高了器件的效率和可靠性。 2. 高效散热设计:FGA6560WDF采用TO3PN封装,具有良好的
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